BSC052N03S G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至4.3毫欧，栅源电压额定值为20V。其极低的RDS(ON)有效减小了导通损耗，在高电流工作条件下仍能保持良好的热性能。器件适用于对功率效率和紧凑布局有较高要求的电子系统，常见于电源管理、电机驱动以及高频开关等应用场景。
