TPH11003NL,LQ_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为6.5毫欧，在栅源电压（VGS）高达±20V时仍可稳定运行。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，提升系统效率，适用于中高电流的电源转换、电机驱动及高频开关等应用。器件具备良好的热稳定性和开关特性，能够在紧凑型电路设计中提供可靠的性能表现。
