STL100NH3LL-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有90A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，在栅源电压驱动下可实现低至3.5毫欧的导通电阻，适用于对导通损耗敏感的高效率电源转换场景。器件支持最高20V的栅源电压，确保在多种驱动条件下稳定工作。其低RDS(ON)特性有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于开关电源、电池管理系统及各类中低电压功率控制电路中。
