FDP100N10-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，其导通电阻（RDS(ON)）典型值为8.5毫欧。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。器件适用于高电流、高频率的开关应用，如电源管理模块、电机控制电路及各类高效能电力电子转换系统，能够在严苛电气条件下保持稳定工作性能。
