DMT10H009LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为75A，漏源击穿电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。其低导通电阻特性有助于显著降低导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制、电池管理系统及各类开关电源拓扑结构。器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能，适合对热管理和能效有较高需求的电子应用场合。
