SIR4602LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有65A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为60V，导通电阻为8毫欧，栅源电压额定值为20V。其较低的导通电阻有助于减小导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热性能。适用于电源转换、电机驱动及高效率开关电路等场景，尤其在需要兼顾功耗与空间布局的电子系统中表现稳定可靠。
