DMT6005LPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7mΩ。凭借极低的导通阻抗，器件在大电流工作条件下可显著减少功率损耗，提升系统效率。适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、电池充放电管理以及对热性能和能效要求严苛的电力电子应用。其结构支持良好的散热能力和稳定运行特性。
