PJQ5528S6-AU_R2_002A1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件采用标准结构设计，适用于对导通损耗和开关效率有较高要求的电源管理、电机驱动及高频开关电路等场景。其低阻抗特性有助于减少发热，提升系统整体能效，同时支持高电流密度下的稳定工作。
