STD7N65M6-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:11A 参数2：VDSS:900V 参数3：RDON:712mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有900V的漏源击穿电压（VDSS）和11A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(ON)）为712mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于高电压、高效率的功率转换场景。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的开关损耗与良好的热稳定性，适合用于对能效和体积有较高要求的电源系统中。
