MBR1080CT_T0_00001_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.77V 参数4：IR:2uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为10A，最大反向电压（VR）达100V。其正向压降（VF）典型值为0.77V，有助于降低导通损耗；反向漏电流（IR）仅为2μA，表现出优异的反向阻断特性。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于对效率和热性能要求较高的电源整流、高频逆变及各类低压大电流应用场景。
