NVMFS4C03NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具备150A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻仅为1.4毫欧，栅源电压最高支持20V。其超低导通电阻有效降低导通损耗，适用于高效率、大电流的功率转换场合，如开关电源、电机控制及电池管理系统等。器件在高频开关应用中表现出良好的动态特性，同时优异的热性能有助于维持系统长期稳定运行。
