FDD8896-F085_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻仅为5毫欧，适用于高效率、大电流的开关应用场景。其低导通电阻有效降低功率损耗，提升系统能效，适合用于电源转换、电池管理系统及高性能计算设备中的供电模块。器件在保持低热阻的同时支持高频开关操作，有助于实现紧凑且可靠的电路布局。
