BSC040N10NS5ATMA1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、不间断电源及各类高效电力转换系统。器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能和热稳定性，适合对效率与空间布局有较高要求的电子设备。
