TSM052NB03CR RLG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5毫欧，在栅源电压（VGS）达±20V时保持稳定工作。低导通电阻有效降低导通损耗，提升整体能效，适用于高电流、低电压的电源管理、电机控制及高频开关电路等场合。其电气特性支持快速开关动作，有助于减小系统体积并提高功率转换效率，适合对热性能和动态响应有较高要求的应用环境。
