NCE65T360K_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为15A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源电压VGS工作范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高频开关特性，适用于高效率电源、通信电源、光伏逆变器及储能转换系统等场景，有助于提升整体能效与功率密度。
