DMTH10H009SPSW-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备100V的漏源电压（VDSS）额定值，最大连续漏极电流（ID）达75A，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）仅为7.3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及开关转换等电路拓扑中，其电气特性支持快速开关动作与稳定工作性能。
