TPH8R903NL,LQ_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其低导通电阻有助于在高频率开关操作中降低传导损耗，提升整体能效。适用于对体积和热管理有要求的电源系统，如多相稳压模块、便携式设备的电源路径控制以及同步整流电路等场景，能够在紧凑布局下保持良好的电气性能与稳定性。
