NTMFS4744NT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET额定漏极电流ID为50A，最大漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDS(ON)为6.5毫欧，栅源电压VGS最高可达20V。低导通电阻有助于在大电流工作时降低功耗与温升，提升整体能效。其电气特性适合用于高效率电源转换、电池管理系统、电动工具驱动以及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够在保持稳定性能的同时支持紧凑型电路设计。
