IRFH7936TRPBF_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4.3毫欧，栅源电压（VGS）最高为20V。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，有利于提升系统效率并减少散热需求。适用于高电流、高频率的开关场景，如电源模块、电动工具、便携式设备的电机驱动及高效能计算设备中的电源管理单元等。
