PJMF280N65E1_T0_00001_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流为15A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围VGS为-5V至!6V。器件利用碳化硅材料优势，在高电压工作条件下具备较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于高频开关电源、高效电能转换及对系统效率要求较高的电力电子应用。其宽VGS范围有助于适配多种驱动电路，提升运行可靠性。
