MBR10H200CT_TO-220H_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220H 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:200V 参数3：VF:0.84V 参数4：IR:1uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为10A，最大反向电压为200V。其正向压降低至0.84V，有助于提升系统效率；反向漏电流仅为1μA，展现出优异的阻断性能。器件可承受120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源及各类对能效和热稳定性有较高要求的电子设备中，具备良好的动态特性和可靠性。
