OSG65R360DTF_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关效率，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体电路效率，并简化散热设计。
