PJQ5524S6-AU_R2_002A1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:90A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有90A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.5mΩ，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件采用标准封装结构，适用于对导通损耗和开关效率要求较高的电源管理及功率转换场景。其低阻抗特性有助于减少发热，提升系统整体能效，适合用于高电流负载下的开关应用。
