CSD17577Q3AT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为60A，最大漏源电压为30V，导通电阻为4毫欧。器件在高电流应用中表现出较低的导通损耗，有助于控制温升并提升系统效率。其电气参数适合用于电源转换、电池保护电路以及大电流负载开关等场景。在持续工作或高频开关条件下，能够维持稳定的性能表现，满足对可靠性和能效有较高要求的电子系统需求。
