APC65R300FM_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和高频开关特性，适用于高效率电源转换系统，如通信电源、光伏逆变器及高频DC-DC变换器等场合，在提升系统效率与功率密度方面表现突出。
