STD6N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5.3A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:820mR 参数4：VGS:-8/+19V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.3A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为820mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至!9V，适用于对开关效率和热性能要求较高的电力电子场合。器件基于碳化硅材料，具备优异的高频特性和较低的开关损耗，在适配器、电源转换及高密度功率模块等应用中可实现紧凑设计与高效运行。
