RBQ10T45ANZC9-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:45V 参数3：VF:0.65V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，额定正向电流为10A，最大反向电压为45V。其正向压降为0.65V，有助于降低导通损耗；在反向偏置条件下，漏电流为100μA，具备良好的阻断能力。器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于需要高效整流和快速响应的电源转换、低压输出整流及多路同步续流等电路拓扑中。共阴极配置便于简化电路布局与连接。
