RJK03M9DNS-00#J5-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:30A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:9mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有30A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为9毫欧。其较低的导通电阻有助于在高电流工作时减少功率损耗，提升整体能效。适用于开关电源、电池管理系统、电动工具驱动以及各类中等功率的直流-直流转换电路。器件结构设计支持良好的热稳定性和快速开关特性，适合对效率和空间有明确要求的电子系统。
