NTMFS4852NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备150A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其超低导通电阻显著降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能保持高效能与较低温升。适用于高功率密度的电源转换、电池管理系统、电动工具驱动及各类需要频繁开关操作的电子设备中，能够可靠支持高负载运行需求。
