FDD5N50FTM-WS-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:5A 参数2：VDSS:500V 参数3：RDON:1300mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备500V的漏源击穿电压（VDSS），在指定栅源驱动条件下导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ，连续漏极电流（ID）额定值为5A。由于其较高的耐压能力与适中的电流承载水平，适用于对电压应力要求较高的中小功率开关应用，例如电源适配器、照明驱动及各类通用电子设备中的功率控制环节。器件在保证安全工作区的同时，可满足多种电路拓扑对高侧或低侧开关的需求。
