MBR20H150CT C0_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:150V 参数3：VF:0.92V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具有20A的平均正向电流（IF）和150V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.92V，在大电流导通时保持较低功耗；反向漏电流（IR）为20μA，体现出优异的反向阻断能力。器件可承受高达200A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频开关电源、电源适配器以及需要高效整流和续流功能的电子系统。
