VFT10200C-E3/4W-HXY_TO-220F_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:10A 参数2：VR:200V 参数3：VF:1.2V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极结构，正向平均电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）为200V。其正向压降（VF）为1.2V，反向漏电流（IR）典型值为100μA，具备良好的导通与阻断特性。器件可承受高达120A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级以及多路电源管理等场景，满足对效率和稳定性的要求。
