MBR20H100CTG-E3/45-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:20A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.85V 参数4：IR:20uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，额定正向电流（IF）为20A，最大反向电压（VR）为100V，正向压降（VF）典型值为0.85V，反向漏电流（IR）为20μA，最大正向浪涌电流（IFSM）可达200A。其共阴极结构便于在双路输出或桥式整流等电路中简化布局，较低的VF有助于减少导通损耗，较高的IFSM能力使其能够承受瞬时大电流冲击，适用于高效率电源转换、开关模式电源及各类需要高可靠整流功能的电子系统。
