GKI03061-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的漏极连续电流（ID）为80A，漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）为4.7mΩ，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。器件在高电流条件下保持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有较高要求的电源转换、电池管理系统及各类开关电路中，能有效支持大电流负载的稳定运行。
