SVS65R240FJDD4_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为160mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有优异的高温稳定性和快速开关特性，适用于高频电源转换、可再生能源发电系统以及高效率电能管理等应用，在降低导通与开关损耗方面表现突出。
