MCACL200N04YA-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备40V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压（VGS）为20V时，导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，可承载高达219A的连续漏极电流（ID）。其极低的导通电阻有效抑制了导通损耗，有利于提升整体能效并简化热管理设计。该器件适用于高电流开关场景，如直流电源转换、电机驱动及大功率电子负载等应用。
