NVMFS5C673NLWFAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有65A的连续漏极电流（ID）、60V的漏源击穿电压（VDSS）、8毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合在中等功率应用中提供了良好的导通效率与驱动兼容性，适用于对体积和热性能有一定要求的电源转换系统。器件可在高频开关条件下保持较低的损耗，适合用于开关电源、电机驱动及便携式高功率设备中的功率管理模块。
