GSGP7R110_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。在高电流应用中，其低导通电阻可有效减少功率损耗并提升整体效率。适用于开关电源、电机驱动、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子装置。器件结构支持快速开关特性，适合在高频工作环境下稳定运行。
