MCU655N65FH-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料优势，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率电源、光伏逆变系统、服务器电源及对能效和紧凑设计有较高要求的电力电子场合。
