DMTH10H009SPSQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可确保充分导通。其高电流承载能力与低导通损耗特性，适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关电路等场合。器件在高频操作下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，适合对功率密度和能效有较高要求的应用环境。
