TPD65R280D_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备20A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为160mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。其采用碳化硅材料，具有低开关损耗、高热导率和优异的高频特性，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对体积与能效有较高要求的电力电子应用。器件在高温环境下仍能保持稳定电气性能。
