NTMFS4C09NAT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.7mΩ，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。器件适用于对开关速度与导通损耗要求较高的电源管理场景，其低阻抗特性有助于减少功率损耗并提升系统效率，适合用于高密度、高效率的直流转换及负载开关等电路拓扑中。
