PJQ4524S6P-AU_R2_002A1_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:3.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有70A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在栅源电压驱动下导通电阻（RDS(ON)）仅为3.5mΩ。其低导通阻抗有助于显著降低导通损耗，适用于高效率电源转换、电机控制及高频开关电路等应用场合。器件在大电流工作条件下仍能维持较低温升，适合对热性能和电能利用率要求较高的电子系统。
