V30M100M-E3/4W-HXY_TO-220C_肖特基二极管_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：肖特基二极管 最小包装：50/管装 参数1：IF:30A 参数2：VR:100V 参数3：VF:0.8V 参数4：IR:100uA 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该肖特基二极管采用1对共阴极配置，具备30A的平均正向电流（IF）和100V的反向重复峰值电压（VR）。其正向压降（VF）为0.8V，在高电流工作时仍能维持较低的导通损耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向阻断特性。器件可承受高达250A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出端以及需要双通道同步续流功能的电路结构中。
