DMTH10H009SPSWQ-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧，在栅源电压（VGS）达20V时可实现高效开关操作。其低导通损耗与高电流处理能力，使其适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源系统及各类中高功率电子设备中的开关与功率转换环节，有助于提升整体电路的能效表现与热稳定性。
