SPD07N60C3T_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有800V的漏源击穿电压（VDSS）和10.2A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源驱动电压范围为-8V至@0V，确保在多种驱动条件下稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温性能与开关特性，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其低导通损耗和快速开关能力有助于提升整体系统能效，适合用于高频、高功率密度的电力电子应用场合。
