STP130N10F3-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压，导通电阻为8.5毫欧，最大栅源电压为20V。其参数组合使其在中高功率开关应用中具备良好的导通特性和控制稳定性。适用于电源管理、电机控制及高频开关电路等场景，能够在保持较低导通损耗的同时，实现高效的电能转换与精确的开关操作。
