SI7460DP-T1-E3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:65A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:8mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备65A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为8毫欧，最大栅源电压（VGS）为20V。器件在高电流工作条件下仍能维持较低的导通压降，适用于电源管理、电机控制及高频开关等应用场景。其低导通电阻有助于降低功耗与温升，提升系统运行效率，同时支持快速开关特性，适合对体积与热性能有较高要求的电子设备。
