FQP90N10V2-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:8.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET的连续漏极电流为70A，漏源击穿电压为100V，导通电阻为8.5毫欧，最大栅源电压为20V。器件在高电流条件下仍能维持较低的导通损耗，适用于对效率和热性能有要求的电源转换、电机驱动及高频开关电路等应用。其电气参数支持稳定可靠的开关操作，适合在紧凑型功率系统中使用。
