NCE65T260K_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为160mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其坚固的结构支持在严苛电气环境中可靠运行，适合用于高功率密度的电力电子系统。
